Перевод: с английского на русский

с русского на английский

doping impurity

См. также в других словарях:

  • doping impurity density — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • doping impurity type — legiravimo priemaišų tipas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant type; doping impurity type vok. Dotierungstyp, m; Störstellentyp, m rus. тип легирующей примеси, m pranc. type de dopage, m; type d impureté dopante, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • doping impurity diffusion — legiravimo priemaišų difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping impurity diffusion vok. Störstellendiffusion, f rus. диффузия легирующей примеси, f pranc. diffusion d impureté dopante, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Doping (semiconductor) — In semiconductor production, doping intentionally introduces impurities into an extremely pure (also referred to as intrinsic) semiconductor for the purpose of modulating its electrical properties. The impurities are dependent upon the type of… …   Wikipedia

  • impurity doping — priemaišinis legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity doping vok. Dotierung mit Fremdatomen, f rus. примесное легирование, n pranc. dopage d impureté, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • impurity doping profile — legiravimo priemaišų profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant distribution profile; impurity doping profile vok. Störstellendotierungsprofil, n rus. профиль распределения легирующей примеси, m pranc. profil d impureté …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Extrinsic semiconductor — An extrinsic semiconductor is a semiconductor that has been doped , that is, into which a doping agent has been introduced, giving it different electrical properties than the intrinsic (pure) semiconductor. Doping involves adding dopant atoms to… …   Wikipedia

  • Dotierstoffdichte — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Dotierungsdichte — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • densité d'impureté dopante — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • densité de dopant — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… …   Radioelektronikos terminų žodynas

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»